近年來，功率半導體市場需求量持續(xù)提升，是半導體行業(yè)最大的消費市場，國內(nèi)也孕育了一批又一批的功率半導體廠商，其中就包含華微電子。華微電子是行業(yè)的領(lǐng)頭羊，憑借多年技術(shù)與經(jīng)驗積累，率領(lǐng)行業(yè)推動國產(chǎn)化替代加速。

　　早在20世紀60年代初，國家就在東北三省布局建設(shè)以遼晶、哈晶為代表的十多家半導體廠，但時至今日，只有華微電子生存下來，并逐步發(fā)展壯大，成為我國東北地區(qū)碩果僅存的整建制半導體企業(yè)。

　　華微電子認為，創(chuàng)新創(chuàng)新、技術(shù)進步是發(fā)展動力。華微電子一直重視研發(fā)和技術(shù)人才培養(yǎng)，是國家級企業(yè)技術(shù)中心，國家創(chuàng)新型企業(yè)、國家博士后科研工作站，公司每年對試驗室進行可持續(xù)投入，以提升自主創(chuàng)新能力建設(shè)。

　　2013年以來，華微電子研發(fā)支出不斷上升，研發(fā)支出總額占營業(yè)收入的6%左右，研發(fā)人員600人以上，多的時候達到754人，研發(fā)人員數(shù)量占比始終保持30%以上。

　　根據(jù)相關(guān)人員介紹，華微電子技術(shù)中心建有專門的實驗室，其中包含EDA器件工藝仿真實驗室，應(yīng)用實驗室、失效分析實驗室、可靠性實驗室、大功率實驗室、計量實驗室，而且失效分析實驗室和計量實驗室獲得CNAS認證。

　　近年來，華微電子通過積極引進先進技術(shù)與標準，廣泛開展產(chǎn)學研等技術(shù)交流與合作，建立技術(shù)研發(fā)與技術(shù)標準相結(jié)合的管理機制，注重先進技術(shù)的運用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBD VDMOS等產(chǎn)品開發(fā)中推廣運用，公司的技術(shù)實力也得到顯著提高，其中1350VTrench IGBT項目，成功攻克深槽刻蝕與填充、高均勻性多晶回刻與刻蝕工藝、Ti/Tin淀積與RTP退火工藝等難題;Trench IGBT工藝平臺的開發(fā)成功，讓華微電子在功率器件研制開發(fā)方面更為全面，將進一步促進國內(nèi)新型電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提高節(jié)能減排關(guān)鍵部件的國產(chǎn)化水平以及權(quán)重。

　　此外，在新能源汽車雙面散熱模塊，華微電子實現(xiàn)功率模塊雙面散熱超博結(jié)構(gòu)，縮小模塊體積，提高模塊功率密度和效率，降低功率損耗，適應(yīng)未來電控系統(tǒng)輕量化要求，產(chǎn)品技術(shù)將達到同等國際標桿水平。同時，公司開發(fā)高壓3300V～4500V的IGBT和FRD產(chǎn)品，實現(xiàn)超高壓大功率器件的國產(chǎn)化。

　　2006年7月，華微電子被全國博士后管委會辦公室確認為新設(shè)站。

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